Samsung стартира разработка на 3D DRAM RAM в САЩ

Samsung е открила нова изследователска лаборатория в САЩ, съобщава The Korea Times, позовавайки се на свои източници. Базираната в Силициевата долина компания разработва технологията 3D DRAM RAM като част от своята програма Device Solutions America. Според публикацията задачата на новата лаборатория на Samsung е да превърне компанията в лидер на световния пазар на 3D DRAM памет.

3D DRAM е DRAM RAM памет, която се очаква да бъде произвеждана с помощта на технология за триизмерно разположение на транзисторите вместо сегашното плоско разположение. Целта на 3D производствения процес е да се използват по-добре физическите ограничения на чиповете чрез вертикално наслагване на допълнителни слоеве клетки на паметта или цели кристали един върху друг.

Пример за 3D технология за оперативна памет е 3D V-Cache, която се използва в потребителските процесори Ryzen X3D на AMD, както и в някои от сървърните чипове на компанията. В този случай 3D V-Cache е допълнителен слой кеш памет от трето ниво, който е разположен върху основния слой L3 кеш памет на процесора.

The Korea Times припомня, че преди повече от десетилетие именно Samsung е пионер в технологията за 3D NAND флаш памет, която компанията нарича V-NAND. Тя и до днес се използва в SSD дисковете. Освен това и други производители са усвоили производството на флаш памет 3D NAND, като всяка година увеличават броя на слоевете - в съвременните чипове техният брой е надхвърлил 230.

Технологията за производство на триизмерна кеш памет е доказала своята ефективност в сегмента на процесорите. Samsung заяви още през октомври 2023 г., че триизмерната структура на кристалите на оперативната памет, произведени с помощта на технологични процеси, по-тънки от 10 nm, в бъдеще ще позволи да се създават чипове DRAM памет с по-голям капацитет и плътност, надвишаваща 100 Gbit на чип.