Samsung е готов за масово производство на DDR4 модули, създадени по 30 нанометрова технология.
Модулите ще предават данни със скорост 2.133 Gbit/s при подавано напрежение 1.2 волта. За сравнение, DDR3 памет, създадена по 30 нанометрова технология, осигурява трансфер със скорост 1.6 Gbit/s при захранващо напрежение 1.35 - 1.5 волта.
Тоест, освен, е ще осигурят по-висока скорост, новите модули ще потребяват и значително по-малко енергия - до 40% по-малко спред южнокорейския производител. Допълнително, в DDR 4 модулите е използвана технологията Pseudo Open Drain (POD), която сериозно намалява енергопотреблението в режим четене/запис.
Samsung вече е изпратил тестови бройки DDR4 памет с обем 2GB и захранващо напрежение 1.2 V на разработчиците на контролери. Южнокорейският гигант планира да завърши JEDEC стандартизацията на DDR4 памет през втората половина на 2011г. Това е необходима стъпка за масовото навлизане на DDR4 модули на пазара.