Предизвикателство за сега съществуващите storage решения хвърля нова memory технология, наречена “памет с изменяемо фазово състояние” (phase-change memory - PCM) и разработена от група компании начело с IBM.
Според създателите си прототипът на новия тип памет работи 500 пъти по-бързо от съвременните флаш-памети, като при това използва двойно по-малко електроенергия при записа на данни. До голяма степен технологичният пробив е осъществен благодарение на използването и на нов материал, базиран на германиева сплав, “и някои други елементи” за подобряване на характеристиките му, информират от американското издание на Computerworld. Предимство на материала е и по-голямата компактност, която може да се постигне, в сравнение с flash-устройствата, заради по-малкия размер на memory клетките (на диаграмата). Подобно на флаш-паметите и новата е енергонезависима (т.е. информацията не се изтрива след изключване на захранването), но за разлика от сегашната технология, PCM съхранява по-добре електрическия...